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NJW0281G中文资料

NJW0281G图片

NJW0281G外观图

  • 大小：80.35KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors
  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：15A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：250V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 500mA，5A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：75 @ 3A，5V
  • 功率 - 最大：150W
  • 频率 - 转换：30MHz
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商设备封装：TO-3P
  • 包装：管件
  • 其它名称：NJW0281G-NDNJW0281GOS

NJW0281G供应商

更新时间:2023-01-09 09:02:57
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NLV32T-R22J-PFNL27WZU04DFT2GNJM2746V(TE1)NUP4114UCW1T2GNLV32T-100J-PFNTR4502PT1GNTA7002NT1GNTJD4001NT1GNC7SV32L6XNL17SZ125DFT2G

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